La mémoire coréenne utilise un verre de chalcogénure en germanium-antimoine-tellure
(que l’on trouve couramment dans les supports optiques réinscriptibles et les PRAM). Pour mémoire, le fonctionnement de la PRAM repose sur un changement du verre qui va passer de l’état amorphe à l’état cristallin et vice-versa en appliquant une tension électrique. Il suffit ensuite de mesurer la résistance électrique pour déterminer l’état et le bit contenu dans la mémoire. Concrètement, une haute résistance électrique signifie que le verre est à l’état amorphe, ce qui représente un 1.
Inversement, un état cristallin a une faible résistance électrique et représente un 0.
Une méthode de fabrication qui permet de réduire la consommation
La mémoire coréenne a le grand mérite de ne consommer qu’un vingtième de ce que demande une PRAM classique. Elle est fabriquée par auto-assemblage de blocs de co-polymères (BCP). Cette méthode de fabrication bon marché utilise deux polymères différents qui se placent sur le die à l’aide d’un courant électrique pour former une structure en moins de 20 nm. La réduction de la consommation est aussi due à une nanostructure en dioxyde de silicium qui miniaturise les contacts électriques et permet ainsi d’abaisser la tension.
Cette mémoire non volatile est plus rapide que la Flash. Si les chercheurs arrivent maintenant à concevoir une méthode de fabrication reproductible à grande échelle, elle pourrait commencer à remplacer la mémoire Flash.
Source:Tom's Hardware
Sujet: Une PRAM pour smartphones 
Mer 20 Mar - 23:57